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PSMN1R7-60BS,118  与  IPB029N06N3 G  区别

型号 PSMN1R7-60BS,118 IPB029N06N3 G
唯样编号 A36-PSMN1R7-60BS,118 A-IPB029N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
零件号别名 - IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.3mΩ
上升时间 - 120ns
Qg-栅极电荷 - 165nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 75S
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 120A
配置 - Single
输入电容 9997pF -
长度 - 10mm
下降时间 - 20ns
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 306W 188W
输出电容 1210pF -
典型关闭延迟时间 - 62 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
Rds On(max)@Id,Vgs 2mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 35ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 120A

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
314 对比
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS3006TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRLS3036TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.4mΩ@165A,10V N-Channel 60V 270A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB029N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB029N06N3GATMA1_60V 120A 2.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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